Part 1

美國政府

為什么要考慮入股英特爾？美國

在全球半導體產(chǎn)業(yè)版圖中，制造能力正日益集中于少數幾家企業(yè)和地區。政府主進(jìn)

◎臺積電在臺灣、考慮中國大陸的入股日霸入生晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能占據全球 60% 以上的代工市場(chǎng)份額，并在 3nm 工藝上實(shí)現量產(chǎn)領(lǐng)先；

◎三星則依托韓國和美國德州工廠(chǎng)，英特保持在 GAA（Gate-All-Around，爾昔全環(huán)繞柵極）結構上的死戰技術(shù)競爭力。

◎相比之下，美國美國本土的政府主進(jìn)先進(jìn)制程產(chǎn)能占比不足 10%，且大部分仍處于 10nm 以上節點(diǎn)?？紤]

美國政府自 2020 年以來(lái)便不斷加大對半導體產(chǎn)業(yè)的入股日霸入生干預。

拜登政府在 2022 年簽署的英特《芯片與科學(xué)法案》為國內芯片制造企業(yè)提供高達 527 億美元的補貼與稅收優(yōu)惠，其中 390 億美元直接用于生產(chǎn)制造補貼。爾昔

英特爾是死戰法案的主要受益者之一，但在實(shí)際推進(jìn)過(guò)程中，美國其俄亥俄州“Mega Fab”項目因資本開(kāi)支壓力、設備交付周期和建設節奏協(xié)調等問(wèn)題多次延遲。

英特爾目前面臨的現實(shí)困境：

◎先進(jìn)制程延誤：從 10nm 延遲到 7nm，再到推遲 20A（相當于 2nm）節點(diǎn)的量產(chǎn)，工藝落后導致高性能 CPU 與 GPU 市場(chǎng)份額持續下滑。

◎代工業(yè)務(wù)起步緩慢：雖然成立了 Intel Foundry Services（IFS）部門(mén)，但在吸引大型外部客戶(hù)方面進(jìn)展有限，且先進(jìn)制程良率尚未穩定。

◎資本與技術(shù)雙重壓力：2nm GAA 工藝引入、EUV 光刻機采購、先進(jìn)封裝產(chǎn)線(xiàn)建設都需要持續且巨額的投資。

在此背景下，美國政府直接入股英特爾，一方面是為了加速本土先進(jìn)制程產(chǎn)能落地，另一方面是確保在地緣政治緊張時(shí)，美國擁有獨立可控的尖端芯片生產(chǎn)能力。

2nm / 3nm 工藝的技術(shù)門(mén)檻

當前先進(jìn)制程主要采用 FinFET 與 GAA 兩種晶體管結構：

◎3nm FinFET：臺積電的 N3 系列已在 2022 年底量產(chǎn)，采用優(yōu)化的 FinFET 晶體管設計，兼顧性能與良率。

◎2nm GAA：三星已在 2022 年推出首代 GAA 工藝（SF3E），英特爾計劃在 20A 節點(diǎn)引入 RibbonFET（其自有 GAA 技術(shù)）。

GAA 相較于 FinFET，可提供更好的柵極控制能力，從而在相同功耗下降低漏電流、提高晶體管密度。但其制造復雜度顯著(zhù)提高，需要更多的 EUV 曝光步驟與高精度圖形對準能力，這直接增加了設備需求和生產(chǎn)成本。

2nm 節點(diǎn)的關(guān)鍵在于?高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機?的應用，這類(lèi)設備由荷蘭 ASML 獨家生產(chǎn)，全球每年的產(chǎn)能僅 5–6 臺，且價(jià)格高達 3.5 億美元以上。

英特爾是全球第一批下單 High-NA EUV 的廠(chǎng)商，但設備交付和產(chǎn)線(xiàn)調試需要 18–24 個(gè)月的周期，這也是其 20A/18A 工藝延遲的重要原因之一。

美國若想實(shí)現本土供應鏈閉環(huán)，必須在光刻、刻蝕、沉積、檢測等環(huán)節建立自主能力。然而，在光刻機領(lǐng)域，美國本土缺乏整機生產(chǎn)能力，只能依賴(lài) ASML，并通過(guò)對日本與德國關(guān)鍵零部件供應商的產(chǎn)業(yè)政策協(xié)作來(lái)保障交付。

隨著(zhù)摩爾定律趨緩，先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）?已成為提升芯片性能的另一核心路徑。

英特爾的 Foveros 3D 堆疊技術(shù)和 EMIB 嵌入式橋接互連，在高帶寬 GPU 與 AI 加速芯片中有顯著(zhù)優(yōu)勢。但先進(jìn)封裝產(chǎn)線(xiàn)同樣面臨設備采購周期長(cháng)、工藝良率爬升慢等問(wèn)題，這限制了其對外部客戶(hù)的代工吸引力。

拆分英特爾的利與弊

部分前董事會(huì )成員建議將英特爾拆分為設計公司與代工廠(chǎng)兩部分，以吸引更多外部客戶(hù)并減少內部資源爭奪。

但從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈和國家安全三個(gè)維度看，拆分的風(fēng)險大于收益：

◎技術(shù)協(xié)同削弱：先進(jìn)制程的設計-制造一體化優(yōu)化能力將喪失，導致高性能 CPU 與 AI 芯片的架構無(wú)法在早期就針對特定工藝進(jìn)行調優(yōu)。

◎客戶(hù)基礎不足：即便拆分，IFS 在短期內也無(wú)法獲得如臺積電那樣的穩定大客戶(hù)訂單，產(chǎn)能利用率和現金流都將承壓。

◎供應鏈安全受損：一旦設計與制造分離，危機時(shí)刻的快速響應能力將下降，美國政府希望掌控的“從設計到生產(chǎn)”的全鏈條自主性會(huì )被削弱。

臺積電模式的成功依賴(lài)于 30 年持續積累、無(wú)與倫比的客戶(hù)綁定與良率提升機制，短期復制幾乎不可能。

全球先進(jìn)制程競爭的格局已經(jīng)趨于穩定：

◎臺積電：3nm 大規模量產(chǎn)，2nm 定于 2025 年量產(chǎn)，客戶(hù)涵蓋蘋(píng)果、AMD、英偉達、聯(lián)發(fā)科等核心科技企業(yè)。

◎三星：在 GAA 技術(shù)上積極搶跑，已為部分客戶(hù)生產(chǎn) 3nm GAA 芯片，并計劃 2025 年進(jìn)入 2nm 量產(chǎn)。

◎英特爾：若 20A 節點(diǎn)在 2024–2025 年如期量產(chǎn)，并在 18A 節點(diǎn)（1.8nm）實(shí)現與臺積電競爭，才能重新進(jìn)入先進(jìn)工藝第一梯隊。

美國政府的直接入股，可以嘗試解決英特爾在設備采購、資本支出和產(chǎn)能爬坡上的短期瓶頸，還能在戰略上綁定英特爾的制造能力，為美國本土 AI 芯片、軍用芯片、航天計算芯片提供穩定的制造后盾。

英特爾面前的岔路口清晰可見(jiàn)：要么在政府資本和政策支持下保持一體化模式，依靠架構與工藝的同步優(yōu)化重新追上臺積電；要么接受拆分，賭一個(gè)開(kāi)放代工市場(chǎng)的快速滲透。

擺在英特爾面前的現實(shí)是，先進(jìn)節點(diǎn)的協(xié)同成本極高，拆分不僅可能削弱內部?jì)?yōu)先流片的優(yōu)勢，還會(huì )讓代工業(yè)務(wù)在缺乏早期大客戶(hù)綁定的情況下陷入低利用率困境。

美國政府的入股，更像是一份“產(chǎn)業(yè)主權保險單”——在供應鏈不穩定、國際競爭加劇的背景下，確保本土仍能掌握從設計到制造的全鏈條能力。

英特爾能否借此實(shí)現技術(shù)翻盤(pán)，取決于它能否在資本、研發(fā)、供應鏈三條戰線(xiàn)上同步發(fā)力。否則，即便拿到了資金與政策背書(shū)，也可能只是延長(cháng)了衰退的時(shí)間表。

這場(chǎng)賭局，不只是英特爾的生死戰，也是未來(lái)十年全球半導體格局的一步棋。

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